RN142ZS
Diodes
Rev.B 1/2
PIN Diode
RN142ZS
Applications
High frequency switching
Features
1) Ultra small mold type. (GMD2)
2) Low high-frequency forward
resistance (rF).
/ low capacitance (CT).
Construction
Silicon epitaxial planar
Dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
Structure
Taping specifications
(Unit : mm)
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
Symbol
Unit
VR
V
IF
mA
Tj
Tstg
50
150
Storage temperature
Parameter
Reverse voltage (DC)
Forward current(DC)
Junction temperature
Limits
-55 to +150
30
Electrical characteristic
(Ta=25
°C)
0.6±0.05
0.3±0.05
0.3±0.03
0~0.03
0.38±0.03
0.27±0.03
0.57±0.05
0.19±0.03
JEDEC : -JEITA : -
ROHM : GMD2
dot(year week factory)
GMD2
0.31
0.38
0.23
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
VF
--1.0VIF=10mA
IR
--0.1μAVR=30V
Ct - - 0.45 pF
VR=1.0V , f=1MHz
Rf - - 1.5
Ω
IF=10mA,f=100MHz
Rf - - 2.5
Ω
IF=3mA,f=100MHz
Forward resistance
Reverse current
Parameter
Forward voltage
Capacitance between terminals
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